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数据手册 | IPP029N06NAKSA1 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | OptiMOS |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 136 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
Qg-栅极电荷 | 66 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,518
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥13.6970
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥13.6970 | ¥13.6970 |
10+ | ¥11.5904 | ¥115.9040 |
100+ | ¥8.7964 | ¥879.6400 |
500+ | ¥7.6241 | ¥3,812.0500 |
1,000+ | ¥6.4430 | ¥6,443.0000 |
2,500+ | ¥5.9495 | ¥14,873.7500 |
10,000+ | ¥5.8084 | ¥58,084.0000 |
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