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    TK6A80E,S4X

    MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK6A80E,S4X 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FP-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MOSVIII
    配置 Single
    Pd-功率耗散 45 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 6 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.35 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 32 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,039

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥11.1497
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥11.1497 ¥11.1497
    10+ ¥9.7924 ¥97.9240
    100+ ¥7.6241 ¥762.4100
    500+ ¥6.1962 ¥3,098.1000
    1,000+ ¥5.2972 ¥5,297.2000
    2,500+ ¥5.1826 ¥12,956.5000
    5,000+ ¥4.8477 ¥24,238.5000
    10,000+ ¥4.7331 ¥47,331.0000

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