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| 数据手册 | IXFN62N80Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 270 nC |
库存：56,481
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥258.8143
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥258.8143 | ￥258.8143 |
| 5+ | ￥258.3824 | ￥1,291.9120 |
| 10+ | ￥241.4066 | ￥2,414.0660 |
| 25+ | ￥235.7657 | ￥5,894.1425 |
| 50+ | ￥226.5991 | ￥11,329.9550 |
| 100+ | ￥202.3694 | ￥20,236.9400 |
| 200+ | ￥201.5674 | ￥40,313.4800 |
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