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| 数据手册 | SPP80P06PHXKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PG-TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 340 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 115 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,449
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.0206
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.0206 | ￥19.0206 |
| 10+ | ￥16.1737 | ￥161.7370 |
| 100+ | ￥12.2074 | ￥1,220.7400 |
| 500+ | ￥11.5287 | ￥5,764.3500 |
| 1,000+ | ￥9.8541 | ￥9,854.1000 |
| 2,500+ | ￥9.5456 | ￥23,864.0000 |
| 5,000+ | ￥8.7964 | ￥43,982.0000 |
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