图像仅供参考 请参阅产品规格

    SQ1912AEEH-T1_GE3

    MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

    制造商:
    Vishay / Siliconix
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SQ1912AEEH-T1_GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 SOT-363-6
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 1.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 800 mA
    Rds On-漏源导通电阻 200 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 450 mV
    Qg-栅极电荷 1.25 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,959

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.6618
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.6618 ¥2.6618
    10+ ¥2.2211 ¥22.2110
    100+ ¥1.6306 ¥163.0600
    500+ ¥1.3221 ¥661.0500
    3,000+ ¥0.9167 ¥2,750.1000
    6,000+ ¥0.8611 ¥5,166.6000
    9,000+ ¥0.7994 ¥7,194.6000
    24,000+ ¥0.7686 ¥18,446.4000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯