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    DMN65D8LFB-7B

    MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 X1-DFN1006-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 840 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 400 mA
    Rds On-漏源导通电阻 3 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
    通道模式 Enhancement

    库存:53,046

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1.9832
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1.9832 ¥1.9832
    10+ ¥1.3133 ¥13.1330
    100+ ¥0.5518 ¥55.1800
    1,000+ ¥0.3720 ¥372.0000
    2,500+ ¥0.2909 ¥727.2500
    10,000+ ¥0.2477 ¥2,477.0000

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