DMN65D8LFB-7B
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | DMN65D8LFB-7B 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | X1-DFN1006-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 840 mW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 400 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,046
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.9832
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.9832 | ¥1.9832 |
10+ | ¥1.3133 | ¥13.1330 |
100+ | ¥0.5518 | ¥55.1800 |
1,000+ | ¥0.3720 | ¥372.0000 |
2,500+ | ¥0.2909 | ¥727.2500 |
10,000+ | ¥0.2477 | ¥2,477.0000 |
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