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| 数据手册 | FQP2N90 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,750
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥8.6730
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.6730 | ￥8.6730 |
| 10+ | ￥7.3156 | ￥73.1560 |
| 100+ | ￥5.5264 | ￥552.6400 |
| 250+ | ￥5.3589 | ￥1,339.7250 |
| 500+ | ￥4.6802 | ￥2,340.1000 |
| 1,000+ | ￥3.8782 | ￥3,878.2000 |
| 2,000+ | ￥3.7636 | ￥7,527.2000 |
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