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    TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

    MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 27 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 8 A
    Rds On-漏源导通电阻 104 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 19 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,264

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥7.3156
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥7.3156 ¥7.3156
    10+ ¥5.8878 ¥58.8780
    100+ ¥4.5216 ¥452.1600
    500+ ¥4.0280 ¥2,014.0000
    2,000+ ¥2.8381 ¥5,676.2000
    10,000+ ¥2.7235 ¥27,235.0000
    24,000+ ¥2.6001 ¥62,402.4000

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