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| 数据手册 | TK72E12N1,S1X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 179 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,373
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.3139
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.3139 | ￥14.3139 |
| 10+ | ￥11.5287 | ￥115.2870 |
| 100+ | ￥9.2283 | ￥922.8300 |
| 500+ | ￥8.1177 | ￥4,058.8500 |
| 1,000+ | ￥6.6898 | ￥6,689.8000 |
| 2,500+ | ￥6.2579 | ￥15,644.7500 |
| 5,000+ | ￥6.0023 | ￥30,011.5000 |
| 10,000+ | ￥5.7644 | ￥57,644.0000 |
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