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    DMN61D8L-7

    MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 DMN61D8L-7 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-23-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 610 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 5 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 470 mA
    Rds On-漏源导通电阻 1.8 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V
    Qg-栅极电荷 0.74 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,737

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.1025
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.1025 ¥3.1025
    10+ ¥2.3886 ¥23.8860
    100+ ¥1.2957 ¥129.5700
    1,000+ ¥0.9695 ¥969.5000
    3,000+ ¥0.8364 ¥2,509.2000
    9,000+ ¥0.7871 ¥7,083.9000

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