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| 数据手册 | TN2106N3-G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 740 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,423
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.1025
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.1025 | ￥3.1025 |
| 25+ | ￥2.6001 | ￥65.0025 |
| 100+ | ￥2.3533 | ￥235.3300 |
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