文档与媒体
| 数据手册 | SI9926CDY-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 4.5 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,006
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.0769
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.0769 | ￥5.0769 |
| 10+ | ￥4.5040 | ￥45.0400 |
| 100+ | ￥3.5080 | ￥350.8000 |
| 500+ | ￥3.1466 | ￥1,573.3000 |
| 1,000+ | ￥2.8029 | ￥2,802.9000 |
| 2,500+ | ￥2.7676 | ￥6,919.0000 |
申请更低价? 请联系客服
