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数据手册 | IRF830PBF 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 74 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 38 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,005
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥7.0600
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥7.0600 | ¥7.0600 |
10+ | ¥6.0640 | ¥60.6400 |
100+ | ¥4.8741 | ¥487.4100 |
500+ | ¥4.2219 | ¥2,110.9500 |
1,000+ | ¥3.6402 | ¥3,640.2000 |
2,500+ | ¥3.1113 | ¥7,778.2500 |
5,000+ | ¥2.9527 | ¥14,763.5000 |
25,000+ | ¥2.6795 | ¥66,987.5000 |
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