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数据手册 | TK20N60W,S1VF 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 165 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
Qg-栅极电荷 | 48 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,567
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥36.4371
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥36.4371 | ¥36.4371 |
10+ | ¥29.3066 | ¥293.0660 |
100+ | ¥26.7064 | ¥2,670.6400 |
250+ | ¥24.1063 | ¥6,026.5750 |
500+ | ¥21.6207 | ¥10,810.3500 |
1,000+ | ¥18.2185 | ¥18,218.5000 |
2,500+ | ¥17.3460 | ¥43,365.0000 |
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