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| 数据手册 | IXFH10N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,438
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.6879
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.6879 | ￥35.6879 |
| 10+ | ￥32.0389 | ￥320.3890 |
| 100+ | ￥29.0598 | ￥2,905.9800 |
| 250+ | ￥27.0766 | ￥6,769.1500 |
| 500+ | ￥21.5590 | ￥10,779.5000 |
| 1,000+ | ￥18.4036 | ￥18,403.6000 |
| 2,500+ | ￥18.1568 | ￥45,392.0000 |
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