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| 数据手册 | IPW65R110CFDAFKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 277.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 31.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 118 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,131
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥44.2992
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥44.2992 | ￥44.2992 |
| 10+ | ￥38.1646 | ￥381.6460 |
| 100+ | ￥31.6599 | ￥3,165.9900 |
| 250+ | ￥29.8001 | ￥7,450.0250 |
| 500+ | ￥27.9492 | ￥13,974.6000 |
| 1,000+ | ￥26.5830 | ￥26,583.0000 |
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