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数据手册 | IXFR36N50P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 156 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,283
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥58.1195
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥58.1195 | ¥58.1195 |
10+ | ¥52.4786 | ¥524.7860 |
50+ | ¥48.8296 | ¥2,441.4800 |
100+ | ¥47.7102 | ¥4,771.0200 |
250+ | ¥41.4522 | ¥10,363.0500 |
500+ | ¥36.6222 | ¥18,311.1000 |
1,000+ | ¥32.9027 | ¥32,902.7000 |
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