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数据手册 | TK10A60D(STA4,Q,M) 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220SIS-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 45 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 25 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,608
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥13.8821
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥13.8821 | ¥13.8821 |
10+ | ¥11.1497 | ¥111.4970 |
100+ | ¥8.9198 | ¥891.9800 |
500+ | ¥7.8092 | ¥3,904.6000 |
1,000+ | ¥6.7515 | ¥6,751.5000 |
2,500+ | ¥5.9230 | ¥14,807.5000 |
5,000+ | ¥5.8261 | ¥29,130.5000 |
10,000+ | ¥5.5793 | ¥55,793.0000 |
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