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| 数据手册 | TK10A60D(STA4,Q,M) 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220SIS-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,550
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.8821
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.8821 | ￥13.8821 |
| 10+ | ￥11.1497 | ￥111.4970 |
| 100+ | ￥8.9198 | ￥891.9800 |
| 500+ | ￥7.8092 | ￥3,904.6000 |
| 1,000+ | ￥6.7515 | ￥6,751.5000 |
| 2,500+ | ￥5.9230 | ￥14,807.5000 |
| 5,000+ | ￥5.8261 | ￥29,130.5000 |
| 10,000+ | ￥5.5793 | ￥55,793.0000 |
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