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数据手册 | FCPF650N80Z 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | SuperFET II |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 30.5 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
Qg-栅极电荷 | 27 nC |
库存:50,229
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥11.8989
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥11.8989 | ¥11.8989 |
10+ | ¥10.1008 | ¥101.0080 |
100+ | ¥7.9326 | ¥793.2600 |
250+ | ¥7.6858 | ¥1,921.4500 |
500+ | ¥6.5047 | ¥3,252.3500 |
1,000+ | ¥5.6498 | ¥5,649.8000 |
2,000+ | ¥5.4823 | ¥10,964.6000 |
5,000+ | ¥5.1650 | ¥25,825.0000 |
10,000+ | ¥5.0504 | ¥50,504.0000 |
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