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    IPB144N12N3 G

    MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB144N12N3 G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 107 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 120 V
    Id-连续漏极电流 56 A
    Rds On-漏源导通电阻 12.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 49 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,572

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.9158
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.9158 ¥9.9158
    10+ ¥8.4262 ¥84.2620
    100+ ¥6.5664 ¥656.6400
    500+ ¥5.5616 ¥2,780.8000
    1,000+ ¥4.7243 ¥4,724.3000
    2,000+ ¥4.6538 ¥9,307.6000
    10,000+ ¥4.4775 ¥44,775.0000

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