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| 数据手册 | FCP850N80Z 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperFET II |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,970
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.9158
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.9158 | ￥9.9158 |
| 10+ | ￥8.4262 | ￥84.2620 |
| 100+ | ￥6.5664 | ￥656.6400 |
| 250+ | ￥6.3813 | ￥1,595.3250 |
| 500+ | ￥5.5616 | ￥2,780.8000 |
| 1,000+ | ￥4.7243 | ￥4,724.3000 |
| 2,500+ | ￥4.6538 | ￥11,634.5000 |
| 5,000+ | ￥4.3100 | ￥21,550.0000 |
| 10,000+ | ￥4.2131 | ￥42,131.0000 |
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