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| 数据手册 | FQPF2N80YDTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.9 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
库存：50,820
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥8.0560
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.0560 | ￥8.0560 |
| 10+ | ￥6.8132 | ￥68.1320 |
| 100+ | ￥5.2003 | ￥520.0300 |
| 250+ | ￥5.0416 | ￥1,260.4000 |
| 500+ | ￥4.3629 | ￥2,181.4500 |
| 1,000+ | ￥3.5520 | ￥3,552.0000 |
| 2,500+ | ￥3.4992 | ￥8,748.0000 |
| 5,000+ | ￥3.1819 | ￥15,909.5000 |
| 10,000+ | ￥3.0320 | ￥30,320.0000 |
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