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| 数据手册 | TK4A80E,S4X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220SIS-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MOSVIII |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,650
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥8.7347
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.7347 | ￥8.7347 |
| 10+ | ￥6.9983 | ￥69.9830 |
| 100+ | ￥6.1081 | ￥610.8100 |
| 500+ | ￥4.7331 | ￥2,366.5500 |
| 1,000+ | ￥3.7371 | ￥3,737.1000 |
| 2,500+ | ￥3.3141 | ￥8,285.2500 |
| 10,000+ | ￥2.8910 | ￥28,910.0000 |
| 25,000+ | ￥2.7852 | ￥69,630.0000 |
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