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    BSC12DN20NS3 G

    MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 BSC12DN20NS3 G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TDSON-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 50 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 11.3 A
    Rds On-漏源导通电阻 108 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 8.7 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,216

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥7.2539
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥7.2539 ¥7.2539
    10+ ¥6.1698 ¥61.6980
    100+ ¥4.5833 ¥458.3300
    500+ ¥3.9222 ¥1,961.1000
    5,000+ ¥3.0144 ¥15,072.0000
    10,000+ ¥2.9262 ¥29,262.0000
    25,000+ ¥2.8381 ¥70,952.5000

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