DMG6898LSDQ-13
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | DMG6898LSDQ-13 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.28 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 500 mV |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC, 26 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,470
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2091
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2091 | ￥5.2091 |
| 10+ | ￥4.3277 | ￥43.2770 |
| 100+ | ￥2.7852 | ￥278.5200 |
| 1,000+ | ￥2.2299 | ￥2,229.9000 |
| 2,500+ | ￥2.2299 | ￥5,574.7500 |
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