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    NVD3055L170T4G

    MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NVD3055L170T4G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 28.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 15 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 9 A
    Rds On-漏源导通电阻 153 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.7 V
    Qg-栅极电荷 4.7 nC

    库存:54,385

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.8429
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.8429 ¥3.8429
    10+ ¥3.0408 ¥30.4080
    100+ ¥2.1506 ¥215.0600
    500+ ¥1.7628 ¥881.4000
    2,500+ ¥1.2163 ¥3,040.7500
    10,000+ ¥1.1546 ¥11,546.0000
    25,000+ ¥1.1194 ¥27,985.0000
    50,000+ ¥1.0841 ¥54,205.0000

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