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    IRFH8330TRPBF

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFH8330TRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PQFN-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 35 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 56 A
    Rds On-漏源导通电阻 9.9 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.35 V
    Qg-栅极电荷 9.3 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,377

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.2259
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.2259 ¥3.2259
    10+ ¥2.5737 ¥25.7370
    100+ ¥1.4896 ¥148.9600
    1,000+ ¥1.2163 ¥1,216.3000
    4,000+ ¥1.1811 ¥4,724.4000
    8,000+ ¥1.1458 ¥9,166.4000
    24,000+ ¥1.1106 ¥26,654.4000
    48,000+ ¥1.0753 ¥51,614.4000

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