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| 数据手册 | IXTN30N100L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 800 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,490
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥326.2943
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥326.2943 | ￥326.2943 |
| 5+ | ￥324.4962 | ￥1,622.4810 |
| 10+ | ￥304.4179 | ￥3,044.1790 |
| 25+ | ￥291.6553 | ￥7,291.3825 |
| 50+ | ￥287.9975 | ￥14,399.8750 |
| 100+ | ￥255.1653 | ￥25,516.5300 |
| 200+ | ￥246.0516 | ￥49,210.3200 |
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