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数据手册 | SIR826ADP-T1-GE3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 104 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.6 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
Qg-栅极电荷 | 86 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:54,462
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥15.4245
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥15.4245 | ¥15.4245 |
10+ | ¥13.1329 | ¥131.3290 |
100+ | ¥10.4710 | ¥1,047.1000 |
500+ | ¥8.8581 | ¥4,429.0500 |
3,000+ | ¥6.9983 | ¥20,994.9000 |
6,000+ | ¥6.7515 | ¥40,509.0000 |
9,000+ | ¥6.3196 | ¥56,876.4000 |
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