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| 数据手册 | UF3C065080K4S 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,588
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥44.2375
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥44.2375 | ￥44.2375 |
| 10+ | ￥39.9010 | ￥399.0100 |
| 25+ | ￥38.0412 | ￥951.0300 |
| 100+ | ￥31.5365 | ￥3,153.6500 |
| 250+ | ￥29.7384 | ￥7,434.6000 |
| 500+ | ￥27.8170 | ￥13,908.5000 |
| 1,000+ | ￥25.0318 | ￥25,031.8000 |
| 2,500+ | ￥24.1063 | ￥60,265.7500 |
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