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数据手册 | STP6N65M2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | MDmesh |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 4 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.35 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
库存:52,973
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥8.1177
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥8.1177 | ¥8.1177 |
10+ | ¥6.8749 | ¥68.7490 |
100+ | ¥5.2003 | ¥520.0300 |
250+ | ¥5.0416 | ¥1,260.4000 |
500+ | ¥4.4158 | ¥2,207.9000 |
1,000+ | ¥3.5873 | ¥3,587.3000 |
2,000+ | ¥3.5344 | ¥7,068.8000 |
5,000+ | ¥3.2171 | ¥16,085.5000 |
10,000+ | ¥3.0673 | ¥30,673.0000 |
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