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    STP6N65M2

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STP6N65M2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 60 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 4 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.35 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 9.8 nC

    库存:52,973

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.1177
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.1177 ¥8.1177
    10+ ¥6.8749 ¥68.7490
    100+ ¥5.2003 ¥520.0300
    250+ ¥5.0416 ¥1,260.4000
    500+ ¥4.4158 ¥2,207.9000
    1,000+ ¥3.5873 ¥3,587.3000
    2,000+ ¥3.5344 ¥7,068.8000
    5,000+ ¥3.2171 ¥16,085.5000
    10,000+ ¥3.0673 ¥30,673.0000

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