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数据手册 | IXTA36N30P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Id-连续漏极电流 | 36 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,595
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥24.4148
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥24.4148 | ¥24.4148 |
10+ | ¥21.9380 | ¥219.3800 |
25+ | ¥19.2057 | ¥480.1425 |
50+ | ¥18.7738 | ¥938.6900 |
100+ | ¥16.5439 | ¥1,654.3900 |
250+ | ¥15.4245 | ¥3,856.1250 |
500+ | ¥14.6224 | ¥7,311.2000 |
1,000+ | ¥12.3308 | ¥12,330.8000 |
2,500+ | ¥10.3476 | ¥25,869.0000 |
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