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| 数据手册 | IXFN420N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1070 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 420 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 670 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,576
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥132.9680
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥132.9680 | ￥132.9680 |
| 5+ | ￥131.3022 | ￥656.5110 |
| 10+ | ￥122.1885 | ￥1,221.8850 |
| 25+ | ￥119.5884 | ￥2,989.7100 |
| 50+ | ￥116.8031 | ￥5,840.1550 |
| 100+ | ￥108.8088 | ￥10,880.8800 |
| 200+ | ￥99.8802 | ￥19,976.0400 |
| 500+ | ￥95.0502 | ￥47,525.1000 |
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