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| 数据手册 | UJ3C065080T3S 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,063
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥39.7776
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥39.7776 | ￥39.7776 |
| 10+ | ￥34.2688 | ￥342.6880 |
| 50+ | ￥33.2112 | ￥1,660.5600 |
| 100+ | ￥28.3811 | ￥2,838.1100 |
| 250+ | ￥26.7681 | ￥6,692.0250 |
| 500+ | ￥25.0318 | ￥12,515.9000 |
| 1,000+ | ￥22.5550 | ￥22,555.0000 |
| 2,500+ | ￥21.6913 | ￥54,228.2500 |
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