ZXMP6A18DN8TA
MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | ZXMP6A18DN8TA 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SO-8 |
通道数量 | 2 Channel |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 4.8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,337
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥9.9774
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥9.9774 | ¥9.9774 |
10+ | ¥8.4879 | ¥84.8790 |
100+ | ¥6.8132 | ¥681.3200 |
500+ | ¥5.9671 | ¥2,983.5500 |
1,000+ | ¥4.9447 | ¥4,944.7000 |
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