文档与媒体
数据手册 | SIS890DN-T1-GE3 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | TrenchFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 19.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,977
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥8.4879
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥8.4879 | ¥8.4879 |
10+ | ¥6.8749 | ¥68.7490 |
100+ | ¥5.5176 | ¥551.7600 |
500+ | ¥4.7948 | ¥2,397.4000 |
3,000+ | ¥3.5873 | ¥10,761.9000 |
6,000+ | ¥3.3317 | ¥19,990.2000 |
9,000+ | ¥3.2876 | ¥29,588.4000 |
申请更低价? 请联系客服