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    TK65G10N1,RQ

    MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK65G10N1,RQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 156 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 136 A
    Rds On-漏源导通电阻 4.5 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 81 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,879

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.9141
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.9141 ¥16.9141
    10+ ¥14.7458 ¥147.4580
    100+ ¥11.1497 ¥1,114.9700
    500+ ¥9.7307 ¥4,865.3500
    1,000+ ¥8.1177 ¥8,117.7000
    2,000+ ¥7.6241 ¥15,248.2000
    5,000+ ¥7.0600 ¥35,300.0000
    10,000+ ¥6.9983 ¥69,983.0000

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