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数据手册 | TK65G10N1,RQ 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | U-MOSVIII-H |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 156 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 136 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 81 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,879
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥16.9141
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥16.9141 | ¥16.9141 |
10+ | ¥14.7458 | ¥147.4580 |
100+ | ¥11.1497 | ¥1,114.9700 |
500+ | ¥9.7307 | ¥4,865.3500 |
1,000+ | ¥8.1177 | ¥8,117.7000 |
2,000+ | ¥7.6241 | ¥15,248.2000 |
5,000+ | ¥7.0600 | ¥35,300.0000 |
10,000+ | ¥6.9983 | ¥69,983.0000 |
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