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数据手册 | UJ3C065080B3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SiC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 115 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 25 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 51 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,218
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥39.7776
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥39.7776 | ¥39.7776 |
10+ | ¥35.9347 | ¥359.3470 |
25+ | ¥34.2688 | ¥856.7200 |
100+ | ¥28.3811 | ¥2,838.1100 |
250+ | ¥26.7681 | ¥6,692.0250 |
500+ | ¥25.0318 | ¥12,515.9000 |
1,000+ | ¥21.7530 | ¥21,753.0000 |
2,500+ | ¥21.1889 | ¥52,972.2500 |
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