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    SI2312BDS-T1-E3

    MOSFET N-Channel 20V 3.9A

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SI2312BDS-T1-E3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-23-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1.25 W
    Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 5 A
    Rds On-漏源导通电阻 31 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 450 mV
    Qg-栅极电荷 12 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,190

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.5384
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.5384 ¥2.5384
    10+ ¥2.3445 ¥23.4450
    100+ ¥1.7452 ¥174.5200
    500+ ¥1.3662 ¥683.1000
    1,000+ ¥1.0577 ¥1,057.7000
    3,000+ ¥1.0577 ¥3,173.1000

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