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| 数据手册 | UJ3C065030B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 66 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,317
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥97.5269
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥97.5269 | ￥97.5269 |
| 10+ | ￥89.6560 | ￥896.5600 |
| 25+ | ￥85.9453 | ￥2,148.6325 |
| 100+ | ￥74.3549 | ￥7,435.4900 |
| 250+ | ￥72.0016 | ￥18,000.4000 |
| 500+ | ￥67.3566 | ￥33,678.3000 |
| 1,000+ | ￥58.0578 | ￥58,057.8000 |
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