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数据手册 | 2N7000 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-92-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 400 mW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,800
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥2.2299
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥2.2299 | ¥2.2299 |
10+ | ¥1.6394 | ¥16.3940 |
100+ | ¥0.9519 | ¥95.1900 |
1,000+ | ¥0.6443 | ¥644.3000 |
2,500+ | ¥0.5703 | ¥1,425.7500 |
10,000+ | ¥0.5518 | ¥5,518.0000 |
25,000+ | ¥0.5456 | ¥13,640.0000 |
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