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    TK39N60W5,S1VF

    MOSFET Power MOSFET N-Channel

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK39N60W5,S1VF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSIV
    配置 Single
    Pd-功率耗散 270 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 38.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 62 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 135 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,061

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥47.8336
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥47.8336 ¥47.8336
    10+ ¥43.1886 ¥431.8860
    100+ ¥34.1454 ¥3,414.5400
    500+ ¥30.1174 ¥15,058.7000
    1,000+ ¥27.1383 ¥27,138.3000

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