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| 数据手册 | IXFN230N20T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1090 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 220 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 358 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,115
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥162.6536
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥162.6536 | ￥162.6536 |
| 5+ | ￥161.2257 | ￥806.1285 |
| 10+ | ￥149.9526 | ￥1,499.5260 |
| 25+ | ￥143.1922 | ￥3,579.8050 |
| 50+ | ￥139.8517 | ￥6,992.5850 |
| 100+ | ￥126.4016 | ￥12,640.1600 |
| 200+ | ￥117.9754 | ￥23,595.0800 |
| 500+ | ￥107.8128 | ￥53,906.4000 |
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