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    TK16G60W,RVQ

    MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK16G60W,RVQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-262-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 DTMOSIV
    配置 Single
    Pd-功率耗散 130 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 15.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.7 V
    Qg-栅极电荷 38 nC

    库存:55,918

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥39.6542
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥39.6542 ¥39.6542
    10+ ¥31.9067 ¥319.0670
    100+ ¥29.0598 ¥2,905.9800
    250+ ¥27.8875 ¥6,971.8750
    1,000+ ¥19.8932 ¥19,893.2000
    2,000+ ¥18.8972 ¥37,794.4000

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