图像仅供参考 请参阅产品规格

    STP33N60DM2

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STP33N60DM2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 190 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 24 A
    Rds On-漏源导通电阻 130 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 43 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,280

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥22.9869
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥22.9869 ¥22.9869
    10+ ¥19.5759 ¥195.7590
    100+ ¥15.6184 ¥1,561.8400
    250+ ¥14.7458 ¥3,686.4500
    500+ ¥13.8821 ¥6,941.0500
    1,000+ ¥12.0223 ¥12,022.3000
    2,000+ ¥11.6521 ¥23,304.2000
    5,000+ ¥10.6561 ¥53,280.5000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯