产品属性 |
属性值 |
产品目录 |
MOSFET |
安装风格 |
Through Hole |
封装 |
Tube |
最大工作温度 |
+ 150 C |
封装 / 箱体 |
TO-262-3 |
通道数量 |
1 Channel |
技术 |
SI |
商标名 |
MDmesh |
配置 |
Single |
Pd-功率耗散 |
190 W |
Vgs - 栅极-源极电压 |
25 V |
晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
Id-连续漏极电流 |
24 A |
Rds On-漏源导通电阻 |
117 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
Qg-栅极电荷 |
41.5 nC |
通道模式 |
Enhancement |
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥19.3291
数量 |
单价(含税) |
总计 |
1+
|
¥19.3291 |
¥19.3291 |
10+
|
¥16.4205 |
¥164.2050 |
100+
|
¥13.1329 |
¥1,313.2900 |
250+
|
¥12.3925 |
¥3,098.1250 |
500+
|
¥11.6521 |
¥5,826.0500 |
1,000+
|
¥9.9774 |
¥9,977.4000 |
2,000+
|
¥9.6690 |
¥19,338.0000 |
5,000+
|
¥8.9815 |
¥44,907.5000 |
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