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    STI33N65M2

    MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STI33N65M2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-262-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    配置 Single
    Pd-功率耗散 190 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 24 A
    Rds On-漏源导通电阻 117 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 41.5 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,995

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥19.3291
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥19.3291 ¥19.3291
    10+ ¥16.4205 ¥164.2050
    100+ ¥13.1329 ¥1,313.2900
    250+ ¥12.3925 ¥3,098.1250
    500+ ¥11.6521 ¥5,826.0500
    1,000+ ¥9.9774 ¥9,977.4000
    2,000+ ¥9.6690 ¥19,338.0000
    5,000+ ¥8.9815 ¥44,907.5000

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