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    TK55S10N1,LQ

    MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TK55S10N1,LQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 100 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 55 A
    Rds On-漏源导通电阻 5.5 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 49 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,639

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.4205
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.4205 ¥16.4205
    10+ ¥14.3139 ¥143.1390
    100+ ¥10.7795 ¥1,077.9500
    500+ ¥9.1666 ¥4,583.3000
    2,000+ ¥7.3773 ¥14,754.6000
    4,000+ ¥6.8749 ¥27,499.6000
    10,000+ ¥6.7515 ¥67,515.0000

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