SIHP12N60E-GE3
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHP12N60E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 147 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,619
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.9269
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.9269 | ￥15.9269 |
| 10+ | ￥13.4502 | ￥134.5020 |
| 100+ | ￥10.9646 | ￥1,096.4600 |
| 500+ | ￥9.2988 | ￥4,649.4000 |
| 1,000+ | ￥8.4879 | ￥8,487.9000 |
| 2,500+ | ￥7.1834 | ￥17,958.5000 |
| 5,000+ | ￥7.0600 | ￥35,300.0000 |
| 10,000+ | ￥6.6898 | ￥66,898.0000 |
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