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数据手册 | STU9N65M2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-251-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | MDmesh |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
库存:50,842
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥8.6730
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥8.6730 | ¥8.6730 |
10+ | ¥7.3773 | ¥73.7730 |
100+ | ¥5.5352 | ¥553.5200 |
250+ | ¥5.3677 | ¥1,341.9250 |
500+ | ¥4.6890 | ¥2,344.5000 |
1,000+ | ¥3.9927 | ¥3,992.7000 |
3,000+ | ¥3.4286 | ¥10,285.8000 |
6,000+ | ¥3.3317 | ¥19,990.2000 |
9,000+ | ¥3.2612 | ¥29,350.8000 |
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